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模拟电子技术基础-场效应管
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场效应管(场效应晶体管)FET 1、结型场效应管 Ugs之间加反向电压,电压越大,耗尽层越宽 关键点:不能工作在Ugs>0,否则PN结不存在,结构毫无意义,但绝缘栅型可以Ugs>0 优点是这种管相比绝缘栅型不易损坏(绝缘......
- 上传者:me**旋律 2023-11-01 10:00:48 文档 学习
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模电笔记快速整理之《模拟电子技术基础(第四版)》上海交大网课版 1-2章
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输出特性: 在模拟电路中,绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态 1.3.4 主要参数: 1.3.5 温度的影响: 1.3.6 光电三极管 1.4 场效应管(FET) 1.4.1 结型场效应管 结构: 1.4.2 绝缘栅型场效应管(MOSFET ......
- 上传者:逆向**nt 2023-10-08 08:05:36 文档 学习
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[渝粤教育] 武汉理工大学 模拟电子技术基础 参考 资料
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A、反向击穿特性 B、电容效应 C、单向导电性 D、本征激发特性 参考资料【 】 2、【多选题】以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有( )。 A、小信号模型 B、理想模型 C、折线模型 D、恒压降......
- 上传者:Ou**er 2023-10-02 09:55:33 文档 学习
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模拟电子技术基础 第一章 绪论
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开关电容滤波器…) 振荡器(弛张振荡器、正弦振荡器…) 电源及电源管理(线性稳压电源、开关稳压电源、DC-DC/低功耗技术…) 调制与解调 1.3本书的教学路线图 1、为什么需要放大器 2、寻找受控源——放大器件 3、......
- 上传者:Hu**猎人 2023-09-22 01:58:23 文档 学习
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模拟电子技术基础_常用半导体器件
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雪崩击穿: 当PN结掺杂浓度低时,其耗尽层宽,需要外加反向电压增大到一定数值时,少子的漂移速度加快,碰撞价电子脱离共价键的束缚产生电子-空穴对,而这些电子-空穴对又会碰撞更多价电子形成载流子,载流子的浓度......
- 上传者:Er**kt 2023-09-06 09:56:33 文档 学习
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模拟电子技术基础第15讲恒流源和差分放大电路.ppt
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,外因:温度变化(温漂);电源电压的波动,温度每升高1度时,输出漂移电压按电压增益折算到输入端的等效输入漂移电压值。,(1)阻容耦合方式适用于(20Hz200KHz)的交流信号,但在实际应用中,待放大的信号频率可能......
- 上传者:lu**ne 2023-08-21 03:54:12 文档 学习
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电子技术基础数字部分课后习题答案
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五版 第六版 课后习题答案 电子技术基础模拟部分 第五版 第六版 课后习题答案 《电子技术基础·模拟部分:学习辅导与习题解答(第六版)》是为配合华中科技大学电子技术课程组编、康华光任......
- 上传者:No**uI 2023-08-16 08:36:46 文档 学习
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模拟电路,包括低频(模拟电子技术基础)和高频(高频电子线路)
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文章目录 高频与低频的区别 低频: 1.半导体器件 1.1.PN结: 1.2.二极管 典型电路:钳位电路 典型电路:整流滤波电路 典型电路:稳压二极管 1.3.BJT 低频: 2.基本放大电路 2.1.三种接法 2.2.结构 2.3.等效电路 2.4.......
- 上传者:Su**刺眼 2023-07-20 18:57:04 文档 学习
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第一章 常用半导体器件------------杂质半导体
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###### 本系列博文为华成英教授的《模拟电子技术基础(第四版)》学习笔记 ########### 【N型半导体】 在 纯净的硅 晶体中掺入 五价元素 (如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就......
- 上传者:Te**执念 2023-07-10 02:06:53 文档 学习
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数字电子技术基础模拟试题A 及答案
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。。。数字电子技术,模拟试题用户分享的数字电子技术基础模拟试题A 及答案,教育专区,高等教育,工学...
- 上传者:de**ed 2021-07-08 03:36:55 文档 学习
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